الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOT8N50
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOT8N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
3679 قطع جديدة أصلية في المخزون
12845211
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOT8N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1042 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
192W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
AOT8
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
TO220 Pkg Drawing
أوراق البيانات
AOT(F)8N50
مخططات البيانات
AOT8N50
ورقة بيانات HTML
AOT8N50-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
5202-AOT8N50
785-1171-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF840LCPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5522
DiGi رقم الجزء
IRF840LCPBF-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF840APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9022
DiGi رقم الجزء
IRF840APBF-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOI482
MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A
AOT66920L
MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO220
AOWF296
MOSFET N-CH 100V 37A TO262F
NVMFS5C410NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN