رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOT9N50
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOT9N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12845916
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOT9N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1042 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
192W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
AOT9
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
5202-AOT9N50
785-1172-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP9NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
477
DiGi رقم الجزء
STP9NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOB12N65L
MOSFET N-CH 650V 12A TO263
AO4304
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
HUFA76413P3
MOSFET N-CH 60V 23A TO220-3
