رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
AOW29S50
Product Overview
المُصنّع:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
AOW29S50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 29A TO262
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 29A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-262
المخزون:
12848764
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
AOW29S50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
تعبئة
-
سلسلة
aMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
29A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1312 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
357W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
AOW29
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
785-1427-5
5202-AOW29S50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STI33N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STI33N60M2-DG
سعر الوحدة
1.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SPI21N50C3XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
450
DiGi رقم الجزء
SPI21N50C3XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.97
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BS270-D74Z
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
FDPF8D5N10C
MOSFET N-CH 100V 76A TO220F
CPH6341-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH