الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NE68819-T1-A
Product Overview
المُصنّع:
CEL
رقم الجزء DiGi Electronics:
NE68819-T1-A-DG
وصف:
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
وصف تفصيلي:
RF Transistor NPN 6V 100mA 9GHz 125mW Surface Mount SC-75 (USM)
المخزون:
63000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966863
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NE68819-T1-A المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات الترددات الراديوية ثنائية القطبية
المُصنّع
CEL (California Eastern Laboratories)
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
6V
التردد - الانتقال
9GHz
رقم الضوضاء (ديسيبل النمط @ f)
1.7dB @ 2GHz
كسب
8dB
الطاقة - الحد الأقصى
125mW
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 3mA, 1V
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
SC-75 (USM)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
NE68819-T1-A
ورقة بيانات HTML
NE68819-T1-A-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
3923-NE68819-T1-ATR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NE85639-T1-A
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
NE68033-T1B-A
SAME AS 2SC3585 NPN SILICON AMPL
JANTXV2N2857UB
RF TRANS NPN 15V 0.04A UB
NTE195A
RF TRANS NPN 70V TO39