رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BDV65A
Product Overview
المُصنّع:
Central Semiconductor Corp
رقم الجزء DiGi Electronics:
BDV65A-DG
وصف:
TRANS NPN 80V 12A TO218
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
المخزون:
12789818
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BDV65A المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Central Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
12 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
-
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 5A, 4V
الطاقة - الحد الأقصى
125 W
التردد - الانتقال
60MHz
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-218-3
حزمة جهاز المورد
TO-218
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N6388G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1301
DiGi رقم الجزء
2N6388G-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CBCX69 TR PBFREE
TRANS PNP 20V 1A SOT89
CET3906E TR PBFREE
TRANS PNP 40V 0.2A SOT883
CMST2907A TR PBFREE
TRANS PNP 60V 0.6A SOT323