2N7002-7-F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N7002-7-F

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N7002-7-F-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

542836 قطع جديدة أصلية في المخزون
12882636
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N7002-7-F المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
115mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
370mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
2N7002

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
2N7002 Datasheet
مخططات البيانات
2N7002-7-F
ورقة بيانات HTML
2N7002-7-F-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2N70027F
2N7002-FDITR
2N7002-FDICT
2N7002-FDIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFBE30STRLPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40L

MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK

diodes

DMT10H015LSS-13

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

diodes

DMN3051LDM-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26