رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7002DWK-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7002DWK-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 261mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-363
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
13000560
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7002DWK-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
261mA (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.04nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
41pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
330mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
2N7002
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-2N7002DWK-7CT
31-2N7002DWK-7DKR
31-2N7002DWK-7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
IRF7103TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
IRF9956TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
