2N7002DWQ-7-F

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N7002DWQ-7-F

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N7002DWQ-7-F-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363

المخزون:

46679 قطع جديدة أصلية في المخزون

12882790

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

2N7002DWQ-7-F المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

230mA

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

-

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

50pF @ 25V

الطاقة - الحد الأقصى

310mW

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

حزمة جهاز المورد

SOT-363

رقم المنتج الأساسي

2N7002

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

2N7002DW Datasheet

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

2N7002DWQ-7-F-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

2N7002DWQ-7-FDITR

2N7002DWQ-7-FDICT

2N7002DWQ-7-FDIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN2053UVT-13

MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26

diodes

DMN2011UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

diodes

DMN2040LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOP

diodes

DMN62D0UDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363