2N7002EQ-7-F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N7002EQ-7-F

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N7002EQ-7-F-DG

وصف:

2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 292mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12978532
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N7002EQ-7-F المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
292mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
35 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
2N7002

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
2N7002EQ

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-2N7002EQ-7-FTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMTH8008LFGQ-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

diodes

DMN3060LW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

diodes

DMP65H13D0HSS-13

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

renesas-electronics-america

2SK3357-A

2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET