BFS17NTA
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

BFS17NTA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

BFS17NTA-DG

وصف:

RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
وصف تفصيلي:
RF Transistor NPN 11V 50mA 3.2GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

50831 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888993
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

BFS17NTA المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات الترددات الراديوية ثنائية القطبية
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
11V
التردد - الانتقال
3.2GHz
رقم الضوضاء (ديسيبل النمط @ f)
-
كسب
-
الطاقة - الحد الأقصى
330mW
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
56 @ 5mA, 10V
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
50mA
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BFS17

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BFS17NTATR
BFS17NTACT
BFS17NTADKR
BFS17NTADITR
BFS17NTADITR-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

MT4S300U(TE85L,O,F

X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE

toshiba-semiconductor-and-storage

MT3S113TU,LF

RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

toshiba-semiconductor-and-storage

MT3S16U(TE85L,F)

RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM

toshiba-semiconductor-and-storage

MT3S111P(TE12L,F)

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI