BSS123-7-F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

BSS123-7-F

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

BSS123-7-F-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

288176 قطع جديدة أصلية في المخزون
12884370
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

BSS123-7-F المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
170mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS123

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS1237F
BSS123-FDITR
BSS123-FDIDKR
BSS123-FDICT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMS3016SSSA-13

MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO

diodes

DMTH6010LK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252

diodes

BS870-7-F

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3

diodes

DMN2056U-7

MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3