BSS138-7-F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

BSS138-7-F

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

BSS138-7-F-DG

وصف:

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

54719 قطع جديدة أصلية في المخزون
12949523
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

BSS138-7-F المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS138

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS138-FDITR
BSS138-FDICT
BSS1387F
BSS138-FDIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMP10H4D2S-7

MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3P50D,RQ(S

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

diodes

DMT4004LPS-13

MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060

diodes

DMP10H400SE-13

MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223