رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMC1016UPD-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMC1016UPD-13-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V, 20V 9.5A, 8.7A 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
المخزون:
156 قطع جديدة أصلية في المخزون
12883340
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMC1016UPD-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V, 20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.5A, 8.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1454pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
2.3W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8
رقم المنتج الأساسي
DMC1016
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
-DMC1016UPD-13DICT
DMC1016UPD-13DICT
-DMC1016UPD-13DITR
DMC1016UPD-13DIDKR
-DMC1016UPD-13DIDKR
DMC1016UPD-13DITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMC25D1UVT-13
MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
DMT6017LDV-13
MOSFET 2N-CH 25.3A POWERDI3333
DMTH6016LSD-13
MOSFET 2N-CH 7.6A 8SO
