رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMG4800LFG-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMG4800LFG-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 7.44A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
المخزون:
8474 قطع جديدة أصلية في المخزون
12884499
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMG4800LFG-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.44A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.47 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
798 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
940mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
U-DFN3030-8
العبوة / العلبة
8-PowerUDFN
رقم المنتج الأساسي
DMG4800
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMG4800LFG7
DMG4800LFG-7DICT
DMG4800LFG-7DITR
DMG4800LFG-7DIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN95H2D2HCTI
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
DMG3415U-13
MOSFET P-CH DFN-3