رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMG4800LK3-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMG4800LK3-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
المخزون:
6452 قطع جديدة أصلية في المخزون
12882857
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMG4800LK3-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
798 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.71W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
DMG4800
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N7002TQ-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
