DMJ65H430SCTI
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMJ65H430SCTI

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMJ65H430SCTI-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole ITO220AB-N (Type HE)

المخزون:

12986538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMJ65H430SCTI المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
775 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO220AB-N (Type HE)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
DMJ65

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
31-DMJ65H430SCTI

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMP2016UFDF-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

vishay-siliconix

SI4155DY-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

diodes

DMN2055UW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

goford-semiconductor

G20P08K

P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7