رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN100-7-F
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN100-7-F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
المخزون:
12889081
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN100-7-F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
240mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-59-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
DMN100
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN100-FDICT
DMN100-FDITR
DMN100-FDIDKR
DMN1007F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLML2803TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
57343
DiGi رقم الجزء
IRLML2803TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RSR025N03TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2519
DiGi رقم الجزء
RSR025N03TL-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J108TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
TK19A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
SSM3K335R,LF
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
