رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN1001UCA10-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN1001UCA10-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 12V 20A (Ta) 1W Surface Mount X2-TSN1820-10

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12986196

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN1001UCA10-7 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

20A (Ta)

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

3.55mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.4V @ 870µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

29nC @ 4V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2865pF @ 6V

الطاقة - الحد الأقصى

1W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

10-SMD, No Lead

حزمة جهاز المورد

X2-TSN1820-10

رقم المنتج الأساسي

DMN1001

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

31-DMN1001UCA10-7CT

31-DMN1001UCA10-7TR

31-DMN1001UCA10-7DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN2991UDJ-7A

MOSFET 2N-CH 20V 0.52A SOT963

diodes

DMC3060LVTQ-7

MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT26

diodes

DMT4014LDV-7

MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333

UPA2752GR-E1-A

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP