DMN1002UCA6-7

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN1002UCA6-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN1002UCA6-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12902665

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN1002UCA6-7 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

-

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

-

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

-

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

-

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

68.6nC @ 4V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

-

الطاقة - الحد الأقصى

1.1W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

6-SMD, No Lead

حزمة جهاز المورد

X4-DSN3118-6

رقم المنتج الأساسي

DMN1002

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN1002UCA6-7-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

DMN1002UCA6-7DITR

DMN1002UCA6-7DICT

DMN1002UCA6-7DIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

ZXMN6A09DN8TA

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

diodes

ZXMN6A09DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

diodes

ZXMC3AM832TA

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

KGF20N035D

MOSFET N-CH 20WLCSP