رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN1003UCA6-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN1003UCA6-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 2.67W Surface Mount X3-DSN3518-6
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888044
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN1003UCA6-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3315pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
2.67W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, No Lead
حزمة جهاز المورد
X3-DSN3518-6
رقم المنتج الأساسي
DMN1003
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN1003UCA6-7DITR
31-DMN1003UCA6-7DKR
DMN1003UCA6-7-DG
DMN1003UCA6-7DIDKR-DG
DMN1003UCA6-7DITR-DG
31-DMN1003UCA6-7TR
DMN1003UCA6-7DIDKR
DMN1003UCA6-7DICT
DMN1003UCA6-7DICT-DG
31-DMN1003UCA6-7CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN4031SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
DMP31D7LDW-7
MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363
DMGD7N45SSD-13
MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SO
