رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN10H170SVT-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN10H170SVT-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
المخزون:
12887637
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN10H170SVT-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1167 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSOT-26
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
DMN10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMN10H170SVT-13DI
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN10H170SVT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
5799
DiGi رقم الجزء
DMN10H170SVT-7-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMN10H170SVTQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
607
DiGi رقم الجزء
DMN10H170SVTQ-7-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVN0545ASTZ
MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE
DMN24H11DSQ-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
DMN4035L-7
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
