رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN10H220L-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN10H220L-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
139892 قطع جديدة أصلية في المخزون
12882990
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN10H220L-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
401 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
DMN10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN10H220L-7DITR
DMN10H220L-7DIDKR
DMN10H220L-7DICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN67D8LV-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
BS170P
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
DMP4025SFG-7
MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
