DMN1150UFB-7B

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN1150UFB-7B

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN1150UFB-7B-DG

وصف:

MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 12 V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

المخزون:

27669 قطع جديدة أصلية في المخزون

12883503

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN1150UFB-7B المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

12 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

1.41A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

150mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

1.5 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±6V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

106 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

500mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

X1-DFN1006-3

العبوة / العلبة

3-UFDFN

رقم المنتج الأساسي

DMN1150

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN1150UFB-7B-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

10,000

اسماء اخرى

DMN1150UFB-7BDICT

DMN1150UFB-7BDITR

DMN1150UFB-7BDIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMT3009LFVW-7

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

diodes

DMN60H080DS-13

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3

DMT3020LFCL-7

MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN

diodes

DMN63D8LW-13

MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323