رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN15M5UCA6-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN15M5UCA6-7-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 16.5A (Ta) 1.2W Surface Mount X4-DSN2117-6
المخزون:
12987652
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN15M5UCA6-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 840µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36.6nC @ 4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
59pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-XFBGA, WLCSP
حزمة جهاز المورد
X4-DSN2117-6
رقم المنتج الأساسي
DMN15
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-DMN15M5UCA6-7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ980AEP-T1_BE3
MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
MMFTP6312D
MOSFET SOT26 P -20V 0.115OHM
DI003N03SQ2
MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
