رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2025U
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2025U-DG
وصف:
DIODE
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 5.6A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12974765
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2025U المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
485 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
800mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
DMN2025
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
31-DMN2025U
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMFTN3422K
MOSFET, SOT-23, 30V, 4.2A, 0, 1.
DI050N06D1
MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
PJD8NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
