رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2026UVT-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2026UVT-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 6.2A (Tc) 1.15W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
المخزون:
12887712
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2026UVT-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.4 nC @ 8 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
887 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.15W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSOT-23-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
DMN2026
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMN2026UVT-13DI
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDC637AN
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
12361
DiGi رقم الجزء
FDC637AN-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN2026UVT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
DMN2026UVT-7-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN2F34MATA
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
ZVN2110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
