DMN2230UQ-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN2230UQ-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN2230UQ-7-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

126145 قطع جديدة أصلية في المخزون
12900069
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN2230UQ-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
188 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
DMN2230

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN2230UQ-7DITR
DMN2230UQ-7DICT
DMN2230UQ-7DIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMP3004SSS-13

MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2

taiwan-semiconductor

TSM2NB60CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252

diodes

DMS3014SFG-7

MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8

diodes

DMN3115UDM-7

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26