رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN2990UFA-7B
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN2990UFA-7B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 510mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
المخزون:
13480 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888660
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN2990UFA-7B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
510mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
27.6 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
X2-DFN0806-3
العبوة / العلبة
3-XFDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN2990
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMN2990UFA-7BDICT
DMN2990UFA-7BDIDKR
DMN2990UFA7B
DMN2990UFA-7BDITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT47M2SFVWQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
DMN5L06WKQ-7
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
DMP3036SSS-13
MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
