رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3008SFG-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3008SFG-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 17.6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
12895282
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3008SFG-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3690 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN3008
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN3008SFG-13DI
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFH8324TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5744
DiGi رقم الجزء
IRFH8324TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN3008SFG-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1798
DiGi رقم الجزء
DMN3008SFG-7-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
TSM220NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
TSM9N90ECI C0G
MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
