DMN3009LFVQ-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN3009LFVQ-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN3009LFVQ-7-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

المخزون:

12979184
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN3009LFVQ-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN3009

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
31-DMN3009LFVQ-7TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
DMN3009LFVQ-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN3009LFVQ-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMP6250SEQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R

diodes

DMTH8028LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

onsemi

NTMFS6H852NT1G

TRENCH 8 80V NFET