DMN3012LEG-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN3012LEG-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN3012LEG-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 20A (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12891941
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN3012LEG-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerLDFN
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8 (Type D)
رقم المنتج الأساسي
DMN3012

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
DMN3012LEG
مخططات البيانات
DMN3012LEG-7
ورقة بيانات HTML
DMN3012LEG-7-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
31-DMN3012LEG-7CT
31-DMN3012LEG-7DKR
DMN3012LEG-7DI-DG
31-DMN3012LEG-7TR
DMN3012LEG-7DI

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMN5L06V-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

diodes

DMTH4007SPDQ-13

MOSFET 2N-CH 40V 14.2A POWERDI50

diodes

DMN3033LSDQ-13

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO

diodes

DMN2013UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN