DMN3015LSD-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN3015LSD-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN3015LSD-13-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO

المخزون:

5165 قطع جديدة أصلية في المخزون

12884408

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN3015LSD-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

8.4A (Ta)

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

25.1nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1415pF @ 15V

الطاقة - الحد الأقصى

1.2W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SO

رقم المنتج الأساسي

DMN3015

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN3015LSD-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

DMN3015LSD-13DICT

DMN3015LSD-13DITR

DMN3015LSD-13DIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMC1028UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 6A/3.4A 6UDFN

diodes

2N7002DW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

diodes

DMC1229UFDB-13

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN

diodes

DMC1029UFDB-7

MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN