رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3024LSD-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3024LSD-13-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
المخزون:
72255 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888687
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3024LSD-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.9nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
608pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.8W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
DMN3024
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMN3024LSD-13DIDKR
DMN3024LSD13
DMN3024LSD-13DITR
DMN3024LSD-13DICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT3020LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
DMG1016VQ-13
MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
DMN3401LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
