رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3035LWN-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3035LWN-13-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 5.5A (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8
المخزون:
12901204
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3035LWN-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
399pF @ 15V
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
V-DFN3020-8
رقم المنتج الأساسي
DMN3035
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN61D8LVT-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
HUFA76504DK8T
MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC
DMT3022UEV-7
MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
