رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN3071LFR4-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN3071LFR4-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.4A (Ta) 500mW Surface Mount X2-DFN1010-3
المخزون:
12883546
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN3071LFR4-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
190 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
X2-DFN1010-3
العبوة / العلبة
3-XFDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN3071
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN3071LFR4-7DI
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN3071LFR4-7R
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN3071LFR4-7R-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
PMXB65ENEZ
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
1233350
DiGi رقم الجزء
PMXB65ENEZ-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN6069SFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
DMG4712SSS-13
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
DMTH6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
