DMN3112SSS-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN3112SSS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN3112SSS-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12891490

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN3112SSS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

6A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

57mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.2V @ 250µA

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

268 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SOP

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

DMN3112

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN3112SSS-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

DMN3112SSS13

DMN3112SSSDICT

DMN3112SSSDITR

DMN3112SSSDIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

diodes

BSS138W-7

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2035(T5L,F,T)

MOSFET N-CH 20V 100MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH5R906NH,L1Q

MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP