DMN31D6UT-13
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN31D6UT-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN31D6UT-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 350mA (Ta) 320mW Surface Mount SOT-523

المخزون:

12883563
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN31D6UT-13 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
350mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13.6 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
320mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-523
العبوة / العلبة
SOT-523
رقم المنتج الأساسي
DMN31

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
10,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
DMN31D6UT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN31D6UT-7-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMTH6010LPS-13

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

diodes

DMG1012T-13

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R

diodes

DMP57D5UFB-7

MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

diodes

DMP3098LSS-13

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP