DMN5040LSS-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN5040LSS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN5040LSS-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 50V 5.2A 8SO T&R 2

وصف تفصيلي:

N-Channel 50 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12883475

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN5040LSS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

50 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

5.2A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

836 pF @ 30 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.3W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

درجة

Automotive

تأهيل

AEC-Q101

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SO

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

DMN5040

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMN5040LSS-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN3024SFG-7

MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

diodes

DMN62D1LFD-7

MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN

diodes

DMTH6004SCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

diodes

DMN30H4D0L-13

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23