رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN52D0U-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN52D0U-13-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 400mA (Ta) 500mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
13377160
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN52D0U-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
400mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
39 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
DMN52
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMN52D0U-13TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN52D0UQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN52D0UQ-7-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMN52D0U-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMN52D0U-7-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH45M5SFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMP31D7LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
DMP4026LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
