DMN601VKQ-7

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN601VKQ-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN601VKQ-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 60V 305mA 250mW Surface Mount SOT-563

المخزون:

5040 قطع جديدة أصلية في المخزون

12882649

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMN601VKQ-7 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

305mA

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

-

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

50pF @ 25V

الطاقة - الحد الأقصى

250mW

درجة حرارة التشغيل

-65°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

SOT-563, SOT-666

حزمة جهاز المورد

SOT-563

رقم المنتج الأساسي

DMN601

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

DMN601VKQ-7DITR

DMN601VKQ-7DIDKR

DMN601VKQ-7DICT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMG4822SSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

diodes

DMC1030UFDBQ-7

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN

DMN3016LDN-13

MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN

diodes

DMC2710UVT-13

MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6