DMN61D8LVT-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMN61D8LVT-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMN61D8LVT-7-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26

المخزون:

5991 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888443
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMN61D8LVT-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
630mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.74nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12.9pF @ 12V
الطاقة - الحد الأقصى
820mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
TSOT-26
رقم المنتج الأساسي
DMN61

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMN61D8LVT-7DITR
DMN61D8LVT-7DIDKR
DMN61D8LVT-7DICT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMG9926USD-13

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO

diodes

DMC3061SVT-13

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6

diodes

DMN5L06VAK-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

diodes

DMN32D2LDF-7

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353