رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN62D1LFB-7B
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN62D1LFB-7B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
المخزون:
160213 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888905
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
LvK8
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN62D1LFB-7B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
320mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
64 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
X1-DFN1006-3
العبوة / العلبة
3-UFDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN62
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMN62D1LFB-7BDICT
DMN62D1LFB-7BDITR
DMN62D1LFB-7BDIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN3009SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
DMN3009SFG-7
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
BUK7608-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
