رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMN62D1SFB-7B
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMN62D1SFB-7B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 410mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
المخزون:
138731 قطع جديدة أصلية في المخزون
12887266
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMN62D1SFB-7B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
410mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 40mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
80 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
470mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
X1-DFN1006-3
العبوة / العلبة
3-UFDFN
رقم المنتج الأساسي
DMN62
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
-DMN62D1SFB-7BDITR
DMN62D1SFB-7BDIDKR
DMN62D1SFB-7BDICT
DMN62D1SFB-7BDI-DG
-DMN62D1SFB-7BDIDKR
-DMN62D1SFB-7BDICT
DMN62D1SFB-7BDITR
DMN62D1SFB-7BDI
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NX7002BKMYL
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
91465
DiGi رقم الجزء
NX7002BKMYL-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVP2106GTC
MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
ZVN2110GTC
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
ZXMP6A17E6TA
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
