رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP1055UFDB-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP1055UFDB-7-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 3.9A 1.36W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
المخزون:
12891741
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP1055UFDB-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20.8nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1028pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
1.36W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type B)
رقم المنتج الأساسي
DMP1055
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMP1055UFDB-7-DG
31-DMP1055UFDB-7CT
31-DMP1055UFDB-7DKR
31-DMP1055UFDB-7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN3032LFDB-13
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
DMP2100UCB9-7
MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
DMN2025UFDB-7
MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN