DMP1070U-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMP1070U-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMP1070U-13-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

وصف تفصيلي:

P-Channel 12 V 5.4A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

13242490

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMP1070U-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

12 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

5.4A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

31mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11.5 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

143 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

890mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SOT-23-3

العبوة / العلبة

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

10,000

اسماء اخرى

31-DMP1070U-13TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

حالة الوصول

REACH Unaffected

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN2992UFZ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-

diodes

DMN39M1LFVW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMN3732U-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMP3045LVTQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R