رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP2110UVT-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP2110UVT-13-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 1.8A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount TSOT-26
المخزون:
12888552
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP2110UVT-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
443pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
740mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
TSOT-26
رقم المنتج الأساسي
DMP2110
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN61D8LVTQ-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
DMN3022LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
DMN16M0UCA6-7
MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
