رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP31D7LFB-7B
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP31D7LFB-7B-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 810mA (Ta) 530mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
المخزون:
12978961
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP31D7LFB-7B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
810mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 420mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.36 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
19 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
530mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
X1-DFN1006-3
العبوة / العلبة
3-UFDFN
رقم المنتج الأساسي
DMP31
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMP31D7LFB-7BTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP2305UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMTH10H4M6SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMT10H9M9SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T