رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMP45H4D9HJ3

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMP45H4D9HJ3-DG

وصف:

MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251

وصف تفصيلي:

P-Channel 450 V 4.6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251

المخزون:

55 قطع جديدة أصلية في المخزون

12884678

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMP45H4D9HJ3 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tube

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

450 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

4.6A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

4.9Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

13.7 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±30V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

547 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

104W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

TO-251

العبوة / العلبة

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

رقم المنتج الأساسي

DMP45

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMP45H4D9HJ3-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

75

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

DMP2541UCB9-7

MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9

diodes

DMNH4005SCTQ

MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

diodes

DMP6180SK3Q-13

MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252

diodes

DMTH6009LPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060