الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMP6110SVT-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMP6110SVT-13-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 7.3A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12883835
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMP6110SVT-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
969 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSOT-23-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
DMP6110
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
DMP6110SVT
مخططات البيانات
DMP6110SVT-13
ورقة بيانات HTML
DMP6110SVT-13-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DMP6110SVT-13DITR
DMP6110SVT-13DICT
DMP6110SVT-13DIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP6110SVT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
68972
DiGi رقم الجزء
DMP6110SVT-7-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
FDC5614P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
28526
DiGi رقم الجزء
FDC5614P-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMTH6016LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
DMN67D8L-13
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
DMNH6042SPS-13
MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8
DMT10H015LCG-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN