رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMPH4029LFG-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMPH4029LFG-7-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 8A (Ta), 22A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
12888833
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
1kpf
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMPH4029LFG-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta), 22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
29mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1626 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMPH4029
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
DMPH4029LFG-7DI
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMPH4029LFGQ-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMPH4029LFGQ-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMPH4029LFGQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2395
DiGi رقم الجزء
DMPH4029LFGQ-7-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN53D0LW-7
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
DMG6968UQ-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
